סיבות נפוצות לקיטוב

הקיטוב האלקטרודי יכול להיגרם ע''י מספר סיבות, כגון:

  1. ריכוז נמוך מדי של מגיב מסוים בקרבת האלקטרודה. במקרים כאלה מדובר בקיטוב ריכוזי (ηconc).
  2. מחסום פוטנציאלי גבוה בתהליך מעבר מטען. אז מדברים על קיטוב אקטיבציה (ηact).
  3. מחסום פוטנציאלי גבוה בתהליך גרעון של פאזה חדשה. אז מדברים על קיטוב נוקליאציה או קיטוב פאזי (ηphase).
  4. התנגדות חשמלית גבוהה של האלקטרוליט שבגללה לא יספיקו היונים להגיע לאתר התגובה או לפנות מקום ליונים חדשים. סוג זה של קיטוב נקרא מפל אוהמי (Ohmic drop) ומסומן iR (כאשר R היא התנגדות האלקטרוליט ו-i היא עוצמת הזרם).

בדרך כלל, כל סוג של קיטוב תורם לקיטוב הכולל, כך ש:

η = ηconc + ηact + ηphase + iR 

במקרים מסוימים, אחד הקיטובים שולט כאשר האחרים זניחים. אז מדברים על מערכת בעלת קיטוב מסוים וזה קביל לגמרי לסוגי בקרה על תהליך בקינטיקה כימית.